Принципы радиоизмерений Исследование стабилизированного выпрямителя Исследование усилительных каскадов Расчет трехфазной цепи Исследование нелинейных цепей постоянного тока Исследование электрических фильтров

Лабораторные работы по электронике и электротехнике

Рабочее задание

1. Снять осциллографическим методом семейство статических выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ Iк =f (Uкэ) при 4-х базовых токах:

собрать схему, приведенную на рис. 3.12.

включить источник постоянного тока. Установить определенный ток базы. Получить ВАХ на экране осциллографа. Переснять ее на масштабную форматку, предварительно поместив начало характеристики в левом верхнем углу осциллографа.

Установить другие значения тока базы и зарисовать последовательно соответствующие ВАХ, помещая начала их в одной точке.

2. Для снятия входных характеристик удобнее использовать другие схемы, приведенные на рис.2.13. Измерение параметра h11э, являющегося входным сопротивлением транзистора для малого переменного напряжения, нужно собрать на стенде схему рисунка 2.13. а):

 

 Рис.2.13. Схема измерения параметров: а) – h11э и h21э; б) – h12э и h22э

Все параметры транзистора зависят от режима по постоянному току, поэтому прежде всего для транзистора в схеме устанавливают режим работы по постоянному току. Например, параметры маломощных транзисторов часто измеряют при напряжении Uk =5B и токе Ik =1 мА. Необходимый режим по постоянному току можно установить следующим образом. Возьмем напряжение источника питания Uп = 9В и включим резистор Rк=3кОм, тогда при коллекторном токе Iк=1мА постоянное напряжение Uк относительно земли будет равно примерно 3 – 4 В. Этого добиваются подбором потенциала цепи базы (примерно 0,67В).

Установив нужный режим по постоянному току, подключают звуковой генератор и подают с его выхода напряжение U1, не превышающий 30 – 40мВ. Частоту измерения обычно берут равной 1 – 5 кГц. Сопротивление Rбг можно взять равным 1 – 2 кОм. Измеряя U1 и U2 электронным милливольтметром переменного тока, определяют ток через Rбг, который с большой точностью является также и переменным током базы, так как можно пренебречь ответвлением переменного тока в Rб. Очевидно, что h11э = Rвх=U2/Iб.

 Для измерения параметра h21э используют ту же схему, но в разрыв между точками А и В включают небольшое сопротивление, например R=100 – 510 Ом. Электронным вольтметром переменного тока измеряют напряжение точки В относительно земли и убеждаются в том, что напряжение точки А относительно земли равно нулю. Зная падение напряжения на включенном сопротивлении, определяют  переменную составляющую коллекторного тока и вычисляют h21э = Ik/Iб.

Для измерения h22э и h12э собирают схему, показанную на рис.2.13. б). Установив режим по постоянному току, подключают звуковой генератор. Устанавливают переменное напряжение U2 = 1-2 В. Измеряя переменные напряжения U1 и U2 и зная Rкг, находят переменную составляющую коллекторного тока. Поделив переменную составляющую коллекторного тока на переменное напряжение U2, получают параметр h22э=Ik/U2. Измеряя милливольтметром напряжение Uб, находят h12э = Uб/U2.

Отчет

Отчет должен содержать:

Исследуемые схемы, рабочие задания и методику измерений.

Форматки и графики семейства статических характеристик.

Расчеты, указанные в пунктах 5,6,7.

Выводы.

Контрольные вопросы

Какой полярности подаются напряжения на эмиттерный и коллекторный переходы?

Что называется явлением инжекции и при каких условиях оно возникает?

Объяснить с точки зрения физических процессов передачу тока из эмиттера в коллектор.

Чем объясняется обратный ток?

Почему транзистор чаще всего характеризуют H-параметрами?

Объяснить ход статических характеристик в схемах с ОЭ и ОБ, уметь объяснить разницу.

Как выбирается рабочая точка транзистора?

Чем отличается нагрузочная прямая от динамической?

Литература

 В.И.Манаев. Основы радиоэлектроники, Радио и связь, М., 1990,512 с.

2. В.Н.Ушаков, О.В.Долженко Электроника: от элементов до устройств, Радио и связь, М., 1993, 352с. 

3. Основы радиоэлектроники. Под редакцией Г.Д.Петрухина, МАИ, М., 1993, 416 с.

4. И.П.Степаненко. Основы микроэлектроники. Лаборатория базовых знаний, М., 2000, 488с.

5. А.А.Каяцкас Основы радиоэлектроники, Высшая школа, М., 1988, 464 с. 6. А.Л.Булычев, П.М.Лямин, Е.С. Тулинов. Электронные приборы, Лайт ЛТД., М., 2000, 415с.

 7. В.И.Нефедов. Основы радиоэлектроники, Высшая школа, М., 2000, 399 с. 8. В.И.Лачин, Н.С.Савелов. Электроника. Ростов-на-Дону. «Феникс», 2009,703с.


Исследование выпрямителя однофазного и трехфазного токов